100E2R2BW7200XJ24 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

一、基本信息

• 型號(hào)：100E2R2BW7200XJ24

• 制造商：可能來自AVX或其他相關(guān)制造商

• 類型：基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、技術(shù)規(guī)格

1. 電容值：2.2μF（根據(jù)命名規(guī)則推測(cè)）

2. 額定電壓：7200VDC（直流工作電壓高達(dá)7200伏特）

3. 容差：標(biāo)準(zhǔn)容差范圍，通常為±5%或±10%（具體值需參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表）

4. 封裝/箱體：3838 (9696 metric)（具體封裝尺寸）

三、電氣特性

• ESR（等效串聯(lián)電阻）：低ESR設(shè)計(jì)，特別適用于射頻/微波頻率應(yīng)用

• ESL（等效串聯(lián)電感）：低ESL特性，有助于減少信號(hào)損失和提高系統(tǒng)性能

• 溫度系數(shù)：通常具有較低的溫度系數(shù)，但具體值需參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表

• 工作溫度范圍：根據(jù)常規(guī)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)為-55°C至+125°C（具體值需參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表）

四、物理特性

• 尺寸：長(zhǎng)度和高度具體值未給出，但基于封裝尺寸3838 (9696 metric)，可以推測(cè)其尺寸大致范圍

• 封裝：托盤封裝（Tray）或其他適用的封裝形式

• 端接類型：通常為SMD/SMT（表面貼裝器件/表面貼裝技術(shù)）

五、應(yīng)用領(lǐng)域

• 射頻/微波應(yīng)用：該電容器特別適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中，如無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域

六、其他信息

• 供貨情況：具體供貨情況需根據(jù)制造商或供應(yīng)商而定

• RoHS：預(yù)計(jì)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含有害物質(zhì)（具體需參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表或制造商聲明）

請(qǐng)注意，以上信息基于產(chǎn)品型號(hào)和常規(guī)產(chǎn)品特性的推測(cè)和整理，具體參數(shù)和特性可能因產(chǎn)品型號(hào)和批次而異。建議參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表或聯(lián)系制造商以獲取準(zhǔn)確信息。