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100C3R3BT2500XT

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100C3R3BT2500XT基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 2500V 3.2pF Tol 0.1pF Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

100C3R3BT2500XT產(chǎn)品介紹

一、產(chǎn)品概述

100C3R3BT2500XT是一款由ATC(American Technical Ceramics)生產(chǎn)的射頻多層陶瓷電容器。性能和穩(wěn)定的品質(zhì),在無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、高頻電路等領(lǐng)域得到了應(yīng)用。

二、主要特性

  1. 電容值:C3R3表示其電容值為3.3μF,滿足各種射頻電路的需求。

  2. 額定電壓:2500V的額定電壓確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。

  3. 高頻性能:該電容器設(shè)計(jì)用于高頻電路,具有良好的射頻性能。

  4. 尺寸與封裝:采用特定的封裝形式(具體尺寸信息未給出,但通常與ATC 100C系列電容器相符),便于集成到各種電路中。

  5. 溫度范圍:工作溫度范圍,從-55°C到+125°C,適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。

三、技術(shù)參數(shù)

  1. 容差:正容差和負(fù)容差均為16.6667%,這意味著其實(shí)際電容值可能在該范圍內(nèi)波動(dòng)。

  2. 頻率特性:在高頻應(yīng)用中,該電容器表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

  3. 溫度系數(shù):90ppm/°C,表明其電容值隨溫度變化較小,具有較高的穩(wěn)定性。

  4. 封裝形式:Axial封裝,方便集成和安裝。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

100C3R3BT2500XT應(yīng)用于無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、高頻電路等需要高性能射頻電容器的領(lǐng)域。

五、總結(jié)

100C3R3BT2500XT是一款高性能的射頻多層陶瓷電容器,具有優(yōu)異的電容值、額定電壓、高頻性能等技術(shù)參數(shù)。應(yīng)用領(lǐng)域和穩(wěn)定的品質(zhì)使其成為射頻電路設(shè)計(jì)中的理想選擇。


100C3R3BT2500XT
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一、產(chǎn)品概述

100C3R3BT2500XT是一款由ATC(American Technical Ceramics)生產(chǎn)的射頻多層陶瓷電容器。性能和穩(wěn)定的品質(zhì),在無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、高頻電路等領(lǐng)域得到了應(yīng)用。

二、主要特性

  1. 電容值:C3R3表示其電容值為3.3μF,滿足各種射頻電路的需求。

  2. 額定電壓:2500V的額定電壓確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。

  3. 高頻性能:該電容器設(shè)計(jì)用于高頻電路,具有良好的射頻性能。

  4. 尺寸與封裝:采用特定的封裝形式(具體尺寸信息未給出,但通常與ATC 100C系列電容器相符),便于集成到各種電路中。

  5. 溫度范圍:工作溫度范圍,從-55°C到+125°C,適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。

三、技術(shù)參數(shù)

  1. 容差:正容差和負(fù)容差均為16.6667%,這意味著其實(shí)際電容值可能在該范圍內(nèi)波動(dòng)。

  2. 頻率特性:在高頻應(yīng)用中,該電容器表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

  3. 溫度系數(shù):90ppm/°C,表明其電容值隨溫度變化較小,具有較高的穩(wěn)定性。

  4. 封裝形式:Axial封裝,方便集成和安裝。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

100C3R3BT2500XT應(yīng)用于無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、高頻電路等需要高性能射頻電容器的領(lǐng)域。

五、總結(jié)

100C3R3BT2500XT是一款高性能的射頻多層陶瓷電容器,具有優(yōu)異的電容值、額定電壓、高頻性能等技術(shù)參數(shù)。應(yīng)用領(lǐng)域和穩(wěn)定的品質(zhì)使其成為射頻電路設(shè)計(jì)中的理想選擇。


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