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200A222KT50XT

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200A222KT50XT基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 50V 2200pF Tol 10% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

200A222KT50XT產(chǎn)品介紹

一、基本信息

  • 產(chǎn)品型號:200A222KT50XT

  • 制造商:未直接提及,但通常這類編號的產(chǎn)品與ATC或Kyocera AVX等品牌相關。

二、規(guī)格參數(shù)

  1. 電壓額定值:50V(基于一般相似產(chǎn)品的推斷)

  2. 容差:未具體提及,但可能類似于其他ATC產(chǎn)品的標準容差。

  3. 溫度系數(shù):未直接提及,但通常這類產(chǎn)品的溫度系數(shù)符合行業(yè)標準。

  4. 小工作溫度:可能類似于ATC產(chǎn)品的標準范圍,如-55°C或更低。

  5. 工作溫度:可能類似于ATC產(chǎn)品的標準范圍,如+125°C或更高。

  6. 尺寸:未直接提供,但可以根據(jù)ATC產(chǎn)品的常規(guī)尺寸進行推斷。

三、產(chǎn)品特性

  • 基于硅的射頻電容器/薄膜電容器:這種類型的電容器通常用于高頻應用,如無線通信、衛(wèi)星通信等。

  • 多層陶瓷結(jié)構(gòu):提供高可靠性、穩(wěn)定性和長壽命。

  • 高性能:設計用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學應用中實現(xiàn)高性能。

四、應用領域

  • 200A222KT50XT可能廣泛應用于無線通信設備、光纖通信設備、醫(yī)療電子設備、半導體制造設備、設備、航空航天和衛(wèi)星通訊設備等。

五、其他信息

  • 由于缺乏具體的官方產(chǎn)品數(shù)據(jù)表,以上信息是基于ATC和其他相似產(chǎn)品的常規(guī)特性和參數(shù)進行的推斷。

  • 如需更詳細和準確的信息,請直接參考制造商提供的數(shù)據(jù)表或聯(lián)系相關銷售商。

總結(jié):200A222KT50XT是一款基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,可能具有高性能、多層陶瓷結(jié)構(gòu)等特點,并廣泛應用于無線通信、衛(wèi)星通信等高頻應用領域。然而,以上信息供參考,具體參數(shù)和應用可能因?qū)嶋H產(chǎn)品而異。


200A222KT50XT
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200A222KT50XT產(chǎn)品介紹

一、基本信息

  • 產(chǎn)品型號:200A222KT50XT

  • 制造商:未直接提及,但通常這類編號的產(chǎn)品與ATC或Kyocera AVX等品牌相關。

二、規(guī)格參數(shù)

  1. 電壓額定值:50V(基于一般相似產(chǎn)品的推斷)

  2. 容差:未具體提及,但可能類似于其他ATC產(chǎn)品的標準容差。

  3. 溫度系數(shù):未直接提及,但通常這類產(chǎn)品的溫度系數(shù)符合行業(yè)標準。

  4. 小工作溫度:可能類似于ATC產(chǎn)品的標準范圍,如-55°C或更低。

  5. 工作溫度:可能類似于ATC產(chǎn)品的標準范圍,如+125°C或更高。

  6. 尺寸:未直接提供,但可以根據(jù)ATC產(chǎn)品的常規(guī)尺寸進行推斷。

三、產(chǎn)品特性

  • 基于硅的射頻電容器/薄膜電容器:這種類型的電容器通常用于高頻應用,如無線通信、衛(wèi)星通信等。

  • 多層陶瓷結(jié)構(gòu):提供高可靠性、穩(wěn)定性和長壽命。

  • 高性能:設計用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學應用中實現(xiàn)高性能。

四、應用領域

  • 200A222KT50XT可能廣泛應用于無線通信設備、光纖通信設備、醫(yī)療電子設備、半導體制造設備、設備、航空航天和衛(wèi)星通訊設備等。

五、其他信息

  • 由于缺乏具體的官方產(chǎn)品數(shù)據(jù)表,以上信息是基于ATC和其他相似產(chǎn)品的常規(guī)特性和參數(shù)進行的推斷。

  • 如需更詳細和準確的信息,請直接參考制造商提供的數(shù)據(jù)表或聯(lián)系相關銷售商。

總結(jié):200A222KT50XT是一款基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,可能具有高性能、多層陶瓷結(jié)構(gòu)等特點,并廣泛應用于無線通信、衛(wèi)星通信等高頻應用領域。然而,以上信息供參考,具體參數(shù)和應用可能因?qū)嶋H產(chǎn)品而異。


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