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100B470JT500XT產(chǎn)品介紹
一、基本信息
制造商:NXP Semiconductors(恩智浦半導(dǎo)體)
型號:100B470JT500XT
功能描述:RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET(射頻功率LDMOS晶體管,N型增強(qiáng)型橫向MOSFET)
二、技術(shù)規(guī)格
應(yīng)用場景:
射頻及放大電路
VHF-微波段
額定電壓:根據(jù)參考文章,雖未直接給出100B470JT500XT的具體額定電壓,但提到了ATC品牌的其他電容產(chǎn)品額定電壓范圍為250V~3600V。
工作溫度:-55~125℃
溫度系數(shù):C0G: 0±30ppm/℃
絕緣電阻:在20℃下: ≥100000MΩ
電容量漂移:不超過±0.2%或±0.05pF(此數(shù)據(jù)可能適用于ATC品牌的其他電容產(chǎn)品,但具體100B470JT500XT的漂移率需進(jìn)一步確認(rèn))
100B470JT500XT產(chǎn)品介紹
一、基本信息
制造商:NXP Semiconductors(恩智浦半導(dǎo)體)
型號:100B470JT500XT
功能描述:RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET(射頻功率LDMOS晶體管,N型增強(qiáng)型橫向MOSFET)
二、技術(shù)規(guī)格
應(yīng)用場景:
射頻及放大電路
VHF-微波段
額定電壓:根據(jù)參考文章,雖未直接給出100B470JT500XT的具體額定電壓,但提到了ATC品牌的其他電容產(chǎn)品額定電壓范圍為250V~3600V。
工作溫度:-55~125℃
溫度系數(shù):C0G: 0±30ppm/℃
絕緣電阻:在20℃下: ≥100000MΩ
電容量漂移:不超過±0.2%或±0.05pF(此數(shù)據(jù)可能適用于ATC品牌的其他電容產(chǎn)品,但具體100B470JT500XT的漂移率需進(jìn)一步確認(rèn))