100B430GW500XC100產(chǎn)品介紹

一、基本信息

• 型號：100B430GW500XC100
  

• 產(chǎn)品類型：基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、規(guī)格參數(shù)

1. 電容值：43pF

2. 電壓額定值：500V

3. 容差：未直接給出，但根據(jù)類似產(chǎn)品推測可能在±2%至±5%之間。

4. 溫度系數(shù)：未直接給出，但基于硅的射頻電容器通常具有較低的溫度系數(shù)。

5. 工作溫度范圍：未直接給出，但類似產(chǎn)品的工作溫度范圍通常在-55°C至+125°C之間。

6. 封裝/外殼：1111（英制標(biāo)準(zhǔn)，相當(dāng)于2828 Metric）

三、特性與應(yīng)用

• 特性：基于硅的射頻電容器通常具有高Q值、低ESR（等效串聯(lián)電阻）和低ESL（等效串聯(lián)電感），適用于高頻、高功率和光學(xué)應(yīng)用。

• 應(yīng)用：適用于無線通信、雷達(dá)、微波通信、衛(wèi)星通信、測試儀器等領(lǐng)域，特別是在需要高性能、高可靠性的射頻和微波電路中。