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100B561JW100XC100

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100B561JW100XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 100V 560pF Tol 5% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

一、基本信息

  • 型號:100B561JW100XC100

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器(推測)

  • 制造商:雖然具體制造商未提及,但根據(jù)命名規(guī)則和參考文章中的信息,推測可能與AVX或其他類似制造商相關。

二、規(guī)格參數(shù)

  1. 電容值:560pF

    • 容差:±10%(基于命名規(guī)則XC100推測)

  2. 電壓額定值:100VDC

  3. 封裝/外殼:未直接提供,但可能采用SMD/SMT封裝(基于AVX或其他類似產(chǎn)品的常見封裝)

三、產(chǎn)品特性

  1. 高精度:±10%的容差保證了電容值的高精度,適用于對電容值精度要求較高的應用。

  2. 高穩(wěn)定性:基于硅的薄膜電容器通常具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性。

  3. 低ESR(等效串聯(lián)電阻):有助于減少能量損失,提高電路效率。

  4. 良好的高頻性能:適用于射頻和微波電路,滿足高頻應用的需求。

  5. 環(huán)保標準:無鉛/符合RoHS標準,適用于現(xiàn)代電子設備。

四、應用領域

  • 無線通信:手機、基站等射頻電路。

  • 雷達系統(tǒng):雷達接收和發(fā)射模塊。

  • 高頻應用:如衛(wèi)星通信、測試測量設備、醫(yī)療設備等領域的高頻電路。


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一、基本信息

  • 型號:100B561JW100XC100

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器(推測)

  • 制造商:雖然具體制造商未提及,但根據(jù)命名規(guī)則和參考文章中的信息,推測可能與AVX或其他類似制造商相關。

二、規(guī)格參數(shù)

  1. 電容值:560pF

    • 容差:±10%(基于命名規(guī)則XC100推測)

  2. 電壓額定值:100VDC

  3. 封裝/外殼:未直接提供,但可能采用SMD/SMT封裝(基于AVX或其他類似產(chǎn)品的常見封裝)

三、產(chǎn)品特性

  1. 高精度:±10%的容差保證了電容值的高精度,適用于對電容值精度要求較高的應用。

  2. 高穩(wěn)定性:基于硅的薄膜電容器通常具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性。

  3. 低ESR(等效串聯(lián)電阻):有助于減少能量損失,提高電路效率。

  4. 良好的高頻性能:適用于射頻和微波電路,滿足高頻應用的需求。

  5. 環(huán)保標準:無鉛/符合RoHS標準,適用于現(xiàn)代電子設備。

四、應用領域

  • 無線通信:手機、基站等射頻電路。

  • 雷達系統(tǒng):雷達接收和發(fā)射模塊。

  • 高頻應用:如衛(wèi)星通信、測試測量設備、醫(yī)療設備等領域的高頻電路。


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