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一、基本信息
型號:100B561JW100XC100
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器(推測)
制造商:雖然具體制造商未提及,但根據(jù)命名規(guī)則和參考文章中的信息,推測可能與AVX或其他類似制造商相關。
二、規(guī)格參數(shù)
電容值:560pF
容差:±10%(基于命名規(guī)則XC100推測)
電壓額定值:100VDC
封裝/外殼:未直接提供,但可能采用SMD/SMT封裝(基于AVX或其他類似產(chǎn)品的常見封裝)
三、產(chǎn)品特性
高精度:±10%的容差保證了電容值的高精度,適用于對電容值精度要求較高的應用。
高穩(wěn)定性:基于硅的薄膜電容器通常具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性。
低ESR(等效串聯(lián)電阻):有助于減少能量損失,提高電路效率。
良好的高頻性能:適用于射頻和微波電路,滿足高頻應用的需求。
環(huán)保標準:無鉛/符合RoHS標準,適用于現(xiàn)代電子設備。
四、應用領域
無線通信:手機、基站等射頻電路。
雷達系統(tǒng):雷達接收和發(fā)射模塊。
高頻應用:如衛(wèi)星通信、測試測量設備、醫(yī)療設備等領域的高頻電路。
一、基本信息
型號:100B561JW100XC100
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器(推測)
制造商:雖然具體制造商未提及,但根據(jù)命名規(guī)則和參考文章中的信息,推測可能與AVX或其他類似制造商相關。
二、規(guī)格參數(shù)
電容值:560pF
容差:±10%(基于命名規(guī)則XC100推測)
電壓額定值:100VDC
封裝/外殼:未直接提供,但可能采用SMD/SMT封裝(基于AVX或其他類似產(chǎn)品的常見封裝)
三、產(chǎn)品特性
高精度:±10%的容差保證了電容值的高精度,適用于對電容值精度要求較高的應用。
高穩(wěn)定性:基于硅的薄膜電容器通常具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性。
低ESR(等效串聯(lián)電阻):有助于減少能量損失,提高電路效率。
良好的高頻性能:適用于射頻和微波電路,滿足高頻應用的需求。
環(huán)保標準:無鉛/符合RoHS標準,適用于現(xiàn)代電子設備。
四、應用領域
無線通信:手機、基站等射頻電路。
雷達系統(tǒng):雷達接收和發(fā)射模塊。
高頻應用:如衛(wèi)星通信、測試測量設備、醫(yī)療設備等領域的高頻電路。