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600S0R7BT250T

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600S0R7BT250T基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 250V 0.7pF Tol 0.1pF
ATC700B560GMS500X情

600S0R7BT250T是一款由電子元器件制造商生產的射頻電容器,通常用于高頻電路中,具有優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定性。以下是對該產品的詳細簡介:

一、基本信息

  • 制造商:該產品可能由ATC(American Technical Ceramics)或其他專業(yè)的電子元器件制造商生產,具體制造商可能因不同渠道或批次而異。

  • 產品編號:600S0R7BT250T

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,多層陶瓷電容器(MLCC)

二、主要參數(shù)

  • 電容值:0.7pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標。

  • 電壓額定值:250V,表示該電容器能夠承受的高電壓為250伏特。

  • 容差:±0.1pF,表示電容器的實際電容值與標稱電容值之間的允許偏差范圍。

  • 封裝/尺寸:0603(1608 metric),這是一種常見的表面貼裝(SMD/SMT)封裝尺寸,適合高密度電子組裝。具體尺寸可能包括長度、寬度和高度等參數(shù),具體數(shù)值需參考產品規(guī)格書。

  • 溫度系數(shù):C0G, NP0,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。C0G和NP0是溫度系數(shù)非常低的材料類型,適用于要求高精度和高穩(wěn)定性的場合。

  • 工作溫度范圍:根據(jù)不同的信息來源,該產品的小工作溫度可能為-55°C至-40°C,工作溫度可能為+125°C至90°C。具體數(shù)值需參考產品規(guī)格書。

三、特性與優(yōu)勢

  • 低ESR(等效串聯(lián)電阻):有助于提升高頻性能,減少能量損耗。

  • 高Q值:表示電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質因數(shù)要求較高的應用。

  • 高精度和高穩(wěn)定性:由于采用了C0G或NP0等溫度系數(shù)極低的材料,以及精密的制造工藝,使得該電容器具有極高的精度和穩(wěn)定性。

  • 廣泛的應用領域:適用于各種射頻/微波電路,如功率放大器、混頻器、振蕩器等,也可用于其他需要高性能電容器的場合。


600S0R7BT250T
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600S0R7BT250T是一款由電子元器件制造商生產的射頻電容器,通常用于高頻電路中,具有優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定性。以下是對該產品的詳細簡介:

一、基本信息

  • 制造商:該產品可能由ATC(American Technical Ceramics)或其他專業(yè)的電子元器件制造商生產,具體制造商可能因不同渠道或批次而異。

  • 產品編號:600S0R7BT250T

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,多層陶瓷電容器(MLCC)

二、主要參數(shù)

  • 電容值:0.7pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標。

  • 電壓額定值:250V,表示該電容器能夠承受的高電壓為250伏特。

  • 容差:±0.1pF,表示電容器的實際電容值與標稱電容值之間的允許偏差范圍。

  • 封裝/尺寸:0603(1608 metric),這是一種常見的表面貼裝(SMD/SMT)封裝尺寸,適合高密度電子組裝。具體尺寸可能包括長度、寬度和高度等參數(shù),具體數(shù)值需參考產品規(guī)格書。

  • 溫度系數(shù):C0G, NP0,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。C0G和NP0是溫度系數(shù)非常低的材料類型,適用于要求高精度和高穩(wěn)定性的場合。

  • 工作溫度范圍:根據(jù)不同的信息來源,該產品的小工作溫度可能為-55°C至-40°C,工作溫度可能為+125°C至90°C。具體數(shù)值需參考產品規(guī)格書。

三、特性與優(yōu)勢

  • 低ESR(等效串聯(lián)電阻):有助于提升高頻性能,減少能量損耗。

  • 高Q值:表示電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質因數(shù)要求較高的應用。

  • 高精度和高穩(wěn)定性:由于采用了C0G或NP0等溫度系數(shù)極低的材料,以及精密的制造工藝,使得該電容器具有極高的精度和穩(wěn)定性。

  • 廣泛的應用領域:適用于各種射頻/微波電路,如功率放大器、混頻器、振蕩器等,也可用于其他需要高性能電容器的場合。


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