一、基本信息

• 制造商：KYOCERA AVX

• 產(chǎn)品編號(hào)：100B360GT500XC100

• 類型：基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

• 電容值：360pF，這是電容器存儲(chǔ)電荷能力的重要指標(biāo)。

• 電壓額定值：500V，表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為500伏特。

• 容差：根據(jù)產(chǎn)品編號(hào)中的“XC100”，推測(cè)容差可能為±1%，但具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。容差表示電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍。

• 封裝/尺寸：通常此類產(chǎn)品采用表面貼裝技術(shù)（SMD/SMT），具體封裝尺寸可能需要根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書(shū)來(lái)確認(rèn)，但基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)命名規(guī)則，可能會(huì)采用類似1111（對(duì)應(yīng)公制尺寸為2828）的封裝尺寸。

• 溫度系數(shù)：雖然具體數(shù)值未給出，但基于硅的射頻電容器通常具有較低的溫度系數(shù)，有助于保持電容值在不同溫度下的穩(wěn)定性。

• 工作溫度范圍：可能涵蓋-55°C至+125°C，表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，但具體范圍需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

三、產(chǎn)品特性

• 高性能：作為基于硅的射頻電容器，100B360GT500XC100可能具有低等效串聯(lián)電阻（ESR）和低等效串聯(lián)電感（ESL），這些特性對(duì)于射頻/微波應(yīng)用至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈冇兄跍p少信號(hào)損失并提高電路的整體性能。

• 高Q值：高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小，這對(duì)于要求因數(shù)的應(yīng)用（如濾波器、振蕩器等）尤為重要。

• 穩(wěn)定性：基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性，這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的應(yīng)用尤為關(guān)鍵。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

• 100B360GT500XC100可能廣泛應(yīng)用于射頻/微波通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)、無(wú)線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備以及航空航天等領(lǐng)域。這些領(lǐng)域?qū)﹄娙萜鞯男阅芤髽O高，特別是在高頻、高電壓和惡劣環(huán)境條件下。