取消
清空記錄
歷史記錄
清空記錄
歷史記錄
制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號:600S1R0AT250XT
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:1pF,表示電容器存儲電荷的能力。
電壓額定值:250VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓。
容差:0.05pF,表示電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍。
電介質(zhì):C0G (NP0),這是一種具有極低溫度系數(shù)和極高穩(wěn)定性的電介質(zhì)材料。
封裝/尺寸:0603(1608 metric),這是一種常見的SMD封裝尺寸,具體為長度1.6mm x 寬度0.81mm,高度(最大值)為0.89mm。
工作溫度范圍:-55°C至+125°C,表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
多層陶瓷結(jié)構(gòu):可能采用多層陶瓷技術(shù),具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。
RoHS合規(guī):該產(chǎn)品符合RoHS指令,表明其不含有害物質(zhì),符合環(huán)保要求。
該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備以及航空航天等領(lǐng)域。
典型電路應(yīng)用包括旁路、耦合、調(diào)諧、反饋、阻抗匹配和直流阻隔等,在射頻功率放大器、混頻器、振蕩器、低噪聲放大器、濾波網(wǎng)絡(luò)等電路中發(fā)揮重要作用。
制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號:600S1R0AT250XT
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:1pF,表示電容器存儲電荷的能力。
電壓額定值:250VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓。
容差:0.05pF,表示電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍。
電介質(zhì):C0G (NP0),這是一種具有極低溫度系數(shù)和極高穩(wěn)定性的電介質(zhì)材料。
封裝/尺寸:0603(1608 metric),這是一種常見的SMD封裝尺寸,具體為長度1.6mm x 寬度0.81mm,高度(最大值)為0.89mm。
工作溫度范圍:-55°C至+125°C,表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
多層陶瓷結(jié)構(gòu):可能采用多層陶瓷技術(shù),具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。
RoHS合規(guī):該產(chǎn)品符合RoHS指令,表明其不含有害物質(zhì),符合環(huán)保要求。
該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備以及航空航天等領(lǐng)域。
典型電路應(yīng)用包括旁路、耦合、調(diào)諧、反饋、阻抗匹配和直流阻隔等,在射頻功率放大器、混頻器、振蕩器、低噪聲放大器、濾波網(wǎng)絡(luò)等電路中發(fā)揮重要作用。