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100B391GT200XC100

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100B391GT200XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 200V 390pF Tol 2% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

100B391GT200XC100是一款由KYOCERA AVX生產(chǎn)的基于硅的射頻電容器/薄膜電容器。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)簡(jiǎn)介:

一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產(chǎn)品編號(hào):100B391GT200XC100

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

  • 電容值:391pF,這是電容器存儲(chǔ)電荷能力的重要指標(biāo)。

  • 電壓額定值:200VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為200伏特。

  • 容差:未明確給出,但根據(jù)KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)特性,容差可能是±0.1pF、±0.25pF、±0.5pF或±1%等,具體取決于產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

  • 封裝/尺寸:封裝類型可能為“XC”,但具體尺寸(如長(zhǎng)度、寬度和高度)需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)或數(shù)據(jù)表。

  • 溫度系數(shù):可能具有低溫度系數(shù),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū),但通常為0 PPM/°C或某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C。

  • 工作溫度范圍:-55°C至+125°C(或類似范圍),表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

三、產(chǎn)品特性

  • 多層陶瓷結(jié)構(gòu):可能采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

  • 低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。

  • 穩(wěn)定性:基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 100B391GT200XC100產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無(wú)線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備等領(lǐng)域。


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100B391GT200XC100是一款由KYOCERA AVX生產(chǎn)的基于硅的射頻電容器/薄膜電容器。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)簡(jiǎn)介:

一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產(chǎn)品編號(hào):100B391GT200XC100

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

  • 電容值:391pF,這是電容器存儲(chǔ)電荷能力的重要指標(biāo)。

  • 電壓額定值:200VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為200伏特。

  • 容差:未明確給出,但根據(jù)KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)特性,容差可能是±0.1pF、±0.25pF、±0.5pF或±1%等,具體取決于產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

  • 封裝/尺寸:封裝類型可能為“XC”,但具體尺寸(如長(zhǎng)度、寬度和高度)需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)或數(shù)據(jù)表。

  • 溫度系數(shù):可能具有低溫度系數(shù),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū),但通常為0 PPM/°C或某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C。

  • 工作溫度范圍:-55°C至+125°C(或類似范圍),表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

三、產(chǎn)品特性

  • 多層陶瓷結(jié)構(gòu):可能采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

  • 低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。

  • 穩(wěn)定性:基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 100B391GT200XC100產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無(wú)線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備等領(lǐng)域。


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