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100B271GTN200XC100

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100B271GTN200XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 200V 270pF Tol 2% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

100B271GTN200XC100產品簡介

一、基本信息

產品名稱:100B271GTN200XC100

制造商:KYOCERA AVX

產品類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、電氣參數(shù)

  • 電容值:270pF(具體容差可能因產品版本而異,但類似產品如100B361FWN200XC100的容差為1%,可作為參考)

  • 電壓額定值:200VDC

三、物理特性

  • 封裝/箱體:根據(jù)類似產品的規(guī)格,可能采用1111(對應公制尺寸為2828)的封裝方式。

  • 尺寸:高度約為2.59mm,長度和寬度(方形封裝)約為2.79mm(具體尺寸請參考產品數(shù)據(jù)表)。

  • 安裝類型:表面貼裝(SMD/SMT),便于自動化生產和安裝。

四、性能特點

  • 低ESR/ESL:設計用于射頻/微波頻率,具有高射頻功率和光學應用中的高性能表現(xiàn)。

  • 高Q值:擴展直流工作電壓(WVDC)范圍,具有低ESR/ESL特性,適用于多種高頻應用。

  • 多層陶瓷結構:采用多層陶瓷電容器(MLCC)技術,帶有銅基金屬電極(BME)內部電極,提供穩(wěn)定可靠的電氣性能。

五、應用領域

  • 該產品通常用于射頻/微波功率放大器、混合器、振蕩器、低噪聲放大器、濾波網絡、定時電路和延遲線等電路中。

  • 應用于通信、雷達、衛(wèi)星、航空航天、醫(yī)療電子等領域。


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100B271GTN200XC100產品簡介

一、基本信息

產品名稱:100B271GTN200XC100

制造商:KYOCERA AVX

產品類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、電氣參數(shù)

  • 電容值:270pF(具體容差可能因產品版本而異,但類似產品如100B361FWN200XC100的容差為1%,可作為參考)

  • 電壓額定值:200VDC

三、物理特性

  • 封裝/箱體:根據(jù)類似產品的規(guī)格,可能采用1111(對應公制尺寸為2828)的封裝方式。

  • 尺寸:高度約為2.59mm,長度和寬度(方形封裝)約為2.79mm(具體尺寸請參考產品數(shù)據(jù)表)。

  • 安裝類型:表面貼裝(SMD/SMT),便于自動化生產和安裝。

四、性能特點

  • 低ESR/ESL:設計用于射頻/微波頻率,具有高射頻功率和光學應用中的高性能表現(xiàn)。

  • 高Q值:擴展直流工作電壓(WVDC)范圍,具有低ESR/ESL特性,適用于多種高頻應用。

  • 多層陶瓷結構:采用多層陶瓷電容器(MLCC)技術,帶有銅基金屬電極(BME)內部電極,提供穩(wěn)定可靠的電氣性能。

五、應用領域

  • 該產品通常用于射頻/微波功率放大器、混合器、振蕩器、低噪聲放大器、濾波網絡、定時電路和延遲線等電路中。

  • 應用于通信、雷達、衛(wèi)星、航空航天、醫(yī)療電子等領域。


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