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100B181JTN1000XC100

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100B181JTN1000XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 1000V 180pF Tol 5% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情
  • 產(chǎn)品名稱:100B181JTN1000XC100(假設(shè)為某品牌的射頻電容器型號)

  • 制造商:雖然未直接提及,但根據(jù)類似產(chǎn)品的信息,可能是由像KYOCERA AVX這樣的電容器制造商生產(chǎn)。

  • 系列:100B系列,通常表示該產(chǎn)品屬于某一特定的產(chǎn)品線或技術(shù)平臺。

技術(shù)規(guī)格

  • 電容值:181pF(皮法),這是電容器存儲電荷的能力的度量。

  • 電壓額定值:1000V(伏特),表示電容器能夠安全承受的直流電壓。

  • 容差:通常射頻電容器會有一定的容差范圍,但具體數(shù)值需要參考產(chǎn)品規(guī)格書。對于類似產(chǎn)品,容差可能在±5%左右。

  • 溫度系數(shù):表示電容器電容值隨溫度變化的程度,通常以ppm/°C(每攝氏度皮法變化量)表示。對于高穩(wěn)定性的射頻電容器,這個值通常很低。

  • 封裝/箱體:可能采用某種特定的封裝形式,如Waffle封裝,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。

應(yīng)用場景

  • 射頻與無線產(chǎn)品:由于產(chǎn)品名稱中包含“RF”(射頻)字樣,該電容器很可能被設(shè)計用于射頻和無線通信系統(tǒng)中,如手機、基站、雷達、衛(wèi)星通信等設(shè)備。

  • 高射頻功率應(yīng)用:高電壓額定值表明該電容器能夠處理較高的射頻功率,適用于需要高功率傳輸?shù)膽?yīng)用場景。

  • 光學(xué)應(yīng)用:射頻電容器也常用于光學(xué)系統(tǒng)中,以支持高速數(shù)據(jù)傳輸和信號處理。

產(chǎn)品特點

  • 高性能:射頻電容器通常具有低損耗、高Q值(品質(zhì)因數(shù))和穩(wěn)定的電氣性能,以確保信號傳輸?shù)那逦群蜏?zhǔn)確性。

  • 高可靠性:在惡劣的環(huán)境條件下,如高溫、高濕度或強電磁干擾環(huán)境中,射頻電容器仍能保持穩(wěn)定的性能。

  • 小型化:隨著電子設(shè)備的不斷發(fā)展,對元器件的尺寸要求越來越高。射頻電容器通常采用先進的封裝技術(shù),以實現(xiàn)更小的體積和更高的集成度。


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  • 產(chǎn)品名稱:100B181JTN1000XC100(假設(shè)為某品牌的射頻電容器型號)

  • 制造商:雖然未直接提及,但根據(jù)類似產(chǎn)品的信息,可能是由像KYOCERA AVX這樣的電容器制造商生產(chǎn)。

  • 系列:100B系列,通常表示該產(chǎn)品屬于某一特定的產(chǎn)品線或技術(shù)平臺。

技術(shù)規(guī)格

  • 電容值:181pF(皮法),這是電容器存儲電荷的能力的度量。

  • 電壓額定值:1000V(伏特),表示電容器能夠安全承受的直流電壓。

  • 容差:通常射頻電容器會有一定的容差范圍,但具體數(shù)值需要參考產(chǎn)品規(guī)格書。對于類似產(chǎn)品,容差可能在±5%左右。

  • 溫度系數(shù):表示電容器電容值隨溫度變化的程度,通常以ppm/°C(每攝氏度皮法變化量)表示。對于高穩(wěn)定性的射頻電容器,這個值通常很低。

  • 封裝/箱體:可能采用某種特定的封裝形式,如Waffle封裝,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。

應(yīng)用場景

  • 射頻與無線產(chǎn)品:由于產(chǎn)品名稱中包含“RF”(射頻)字樣,該電容器很可能被設(shè)計用于射頻和無線通信系統(tǒng)中,如手機、基站、雷達、衛(wèi)星通信等設(shè)備。

  • 高射頻功率應(yīng)用:高電壓額定值表明該電容器能夠處理較高的射頻功率,適用于需要高功率傳輸?shù)膽?yīng)用場景。

  • 光學(xué)應(yīng)用:射頻電容器也常用于光學(xué)系統(tǒng)中,以支持高速數(shù)據(jù)傳輸和信號處理。

產(chǎn)品特點

  • 高性能:射頻電容器通常具有低損耗、高Q值(品質(zhì)因數(shù))和穩(wěn)定的電氣性能,以確保信號傳輸?shù)那逦群蜏?zhǔn)確性。

  • 高可靠性:在惡劣的環(huán)境條件下,如高溫、高濕度或強電磁干擾環(huán)境中,射頻電容器仍能保持穩(wěn)定的性能。

  • 小型化:隨著電子設(shè)備的不斷發(fā)展,對元器件的尺寸要求越來越高。射頻電容器通常采用先進的封裝技術(shù),以實現(xiàn)更小的體積和更高的集成度。


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