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100E1R0BW3600XJ24產(chǎn)品簡(jiǎn)介
一、基本信息
型號(hào):100E1R0BW3600XJ24
制造商:KYOCERA AVX(京瓷AVX)
類(lèi)型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
二、技術(shù)規(guī)格
電容值:1R0B(根據(jù)命名規(guī)則,這通常表示電容值在1μF至10μF之間,但具體值需參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表)
額定電壓:3600VDC(直流工作電壓高達(dá)3600伏特)
容差:2%(標(biāo)準(zhǔn)容差范圍)
封裝/箱體:3838 (9696 metric)(具體封裝尺寸)
系列:100E系列
三、電氣特性
低ESR/ESL:該電容器具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),適用于射頻/微波頻率應(yīng)用,以實(shí)現(xiàn)高性能。
高Q值:高Q值RF/微波電容器,確保信號(hào)傳輸?shù)那逦群蜏?zhǔn)確性。
溫度系數(shù):90 PPM/°C(溫度每變化一度,電容值變化90ppm)
工作溫度范圍:-55°C至+125°C(寬廣的工作溫度范圍)
四、物理特性
尺寸:長(zhǎng)度9.65mm,高度4.32mm(根據(jù)提供的信息)
封裝:Tray(托盤(pán)封裝)
端接類(lèi)型:SMD/SMT(表面貼裝器件/表面貼裝技術(shù))
五、應(yīng)用領(lǐng)域
射頻/微波應(yīng)用:該電容器特別適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。
六、其他信息
供貨情況:根據(jù)參考文章,該產(chǎn)品可能處于無(wú)庫(kù)存狀態(tài),生產(chǎn)周期需請(qǐng)求交付報(bào)價(jià)。
RoHS:符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),不含有害物質(zhì)。
請(qǐng)注意,以上信息基于提供的參考文章和常規(guī)產(chǎn)品特性進(jìn)行整理,具體參數(shù)和特性可能因產(chǎn)品型號(hào)和批次而異。建議參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表或聯(lián)系制造商以獲取準(zhǔn)確信息。
100E1R0BW3600XJ24產(chǎn)品簡(jiǎn)介
一、基本信息
型號(hào):100E1R0BW3600XJ24
制造商:KYOCERA AVX(京瓷AVX)
類(lèi)型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
二、技術(shù)規(guī)格
電容值:1R0B(根據(jù)命名規(guī)則,這通常表示電容值在1μF至10μF之間,但具體值需參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表)
額定電壓:3600VDC(直流工作電壓高達(dá)3600伏特)
容差:2%(標(biāo)準(zhǔn)容差范圍)
封裝/箱體:3838 (9696 metric)(具體封裝尺寸)
系列:100E系列
三、電氣特性
低ESR/ESL:該電容器具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),適用于射頻/微波頻率應(yīng)用,以實(shí)現(xiàn)高性能。
高Q值:高Q值RF/微波電容器,確保信號(hào)傳輸?shù)那逦群蜏?zhǔn)確性。
溫度系數(shù):90 PPM/°C(溫度每變化一度,電容值變化90ppm)
工作溫度范圍:-55°C至+125°C(寬廣的工作溫度范圍)
四、物理特性
尺寸:長(zhǎng)度9.65mm,高度4.32mm(根據(jù)提供的信息)
封裝:Tray(托盤(pán)封裝)
端接類(lèi)型:SMD/SMT(表面貼裝器件/表面貼裝技術(shù))
五、應(yīng)用領(lǐng)域
射頻/微波應(yīng)用:該電容器特別適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。
六、其他信息
供貨情況:根據(jù)參考文章,該產(chǎn)品可能處于無(wú)庫(kù)存狀態(tài),生產(chǎn)周期需請(qǐng)求交付報(bào)價(jià)。
RoHS:符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),不含有害物質(zhì)。
請(qǐng)注意,以上信息基于提供的參考文章和常規(guī)產(chǎn)品特性進(jìn)行整理,具體參數(shù)和特性可能因產(chǎn)品型號(hào)和批次而異。建議參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表或聯(lián)系制造商以獲取準(zhǔn)確信息。