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100B7R5JW500XC100

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100B7R5JW500XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 7.5PF 500V 5% 1111
ATC700B560GMS500X情

100B7R5JW500XC100產(chǎn)品介紹

一、基本信息

  • 型號(hào):100B7R5JW500XC100

  • 類(lèi)型:多層陶瓷芯片電容器(基于命名規(guī)律推測(cè))

二、技術(shù)參數(shù)

  1. 電容值:由于型號(hào)中包含“7R5”,我們可以推測(cè)其電容值可能為7.5μF(但此為基于命名規(guī)律的推測(cè),實(shí)際值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū))。

  2. 電壓額定值:500V(直接來(lái)源于型號(hào)中的“500V”)。

  3. 容差:根據(jù)常見(jiàn)的電容器命名規(guī)則,容差可能為±5%(但具體值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū))。

  4. 溫度系數(shù):多層陶瓷電容器的溫度系數(shù)通常較低,具體值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

  5. 工作溫度范圍:基于多層陶瓷電容器的特性,工作溫度范圍可能較寬,但具體范圍需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

三、封裝/外殼

  • 由于型號(hào)中包含“JW”,這可能與特定的封裝/外殼類(lèi)型或尺寸有關(guān),但具體信息需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)或制造商的說(shuō)明。

四、其他特性

  • RoHS認(rèn)證:產(chǎn)品可能符合RoHS(限制使用某些有害物質(zhì))標(biāo)準(zhǔn),意味著在生產(chǎn)過(guò)程中限制或避免使用某些對(duì)環(huán)境有害的物質(zhì)。

  • 應(yīng)用:多層陶瓷芯片電容器通常用于高頻、高穩(wěn)定度、高精度的電路中,可能適用于通信、航空航天、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。


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  • 型號(hào):100B7R5JW500XC100

  • 類(lèi)型:多層陶瓷芯片電容器(基于命名規(guī)律推測(cè))

二、技術(shù)參數(shù)

  1. 電容值:由于型號(hào)中包含“7R5”,我們可以推測(cè)其電容值可能為7.5μF(但此為基于命名規(guī)律的推測(cè),實(shí)際值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū))。

  2. 電壓額定值:500V(直接來(lái)源于型號(hào)中的“500V”)。

  3. 容差:根據(jù)常見(jiàn)的電容器命名規(guī)則,容差可能為±5%(但具體值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū))。

  4. 溫度系數(shù):多層陶瓷電容器的溫度系數(shù)通常較低,具體值需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

  5. 工作溫度范圍:基于多層陶瓷電容器的特性,工作溫度范圍可能較寬,但具體范圍需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)。

三、封裝/外殼

  • 由于型號(hào)中包含“JW”,這可能與特定的封裝/外殼類(lèi)型或尺寸有關(guān),但具體信息需參考產(chǎn)品規(guī)格書(shū)或制造商的說(shuō)明。

四、其他特性

  • RoHS認(rèn)證:產(chǎn)品可能符合RoHS(限制使用某些有害物質(zhì))標(biāo)準(zhǔn),意味著在生產(chǎn)過(guò)程中限制或避免使用某些對(duì)環(huán)境有害的物質(zhì)。

  • 應(yīng)用:多層陶瓷芯片電容器通常用于高頻、高穩(wěn)定度、高精度的電路中,可能適用于通信、航空航天、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。


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