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600F8R2AT250T

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600F8R2AT250T基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 250V 8.2pF Tol 0.05pF
ATC700B560GMS500X情

600F8R2AT250T產(chǎn)品介紹

一、基本信息

  • 型號:600F8R2AT250T

  • 類型:射頻貼片電容(基于命名規(guī)律和常見的電子工程/通信技術(shù)領(lǐng)域中的命名習慣推測)

二、技術(shù)參數(shù)

  1. 電容值:由于型號中包含“8R2”,我們可以推測其電容值大致為8.2μF(具體值可能會有些許差異,具體請參考產(chǎn)品規(guī)格書)。

  2. 電壓額定值:250V(直接來源于型號中的“250V”)。

  3. 其他規(guī)格:由于型號中還包含“F”和“T”等字符,這些字符可能表示特定的封裝類型、溫度范圍或其他特性,但具體意義需參考產(chǎn)品規(guī)格書。

三、封裝/外殼

  • 由于型號中并未直接給出封裝/外殼的具體信息,但可以推測該電容可能采用射頻貼片電容常見的封裝形式,如矩形或圓柱形等。具體封裝尺寸和引腳排列方式請參考產(chǎn)品規(guī)格書。

四、其他特性

  • 高頻率性能:射頻貼片電容通常用于高頻電路,因此600F8R2AT250T可能具有優(yōu)異的高頻性能。

  • 穩(wěn)定性:射頻電容在溫度變化、電壓波動等條件下應(yīng)具有良好的穩(wěn)定性。

  • RoHS認證:產(chǎn)品可能符合RoHS(限制使用某些有害物質(zhì))標準,意味著在生產(chǎn)過程中限制或避免使用某些對環(huán)境有害的物質(zhì)。

五、應(yīng)用

  • 射頻貼片電容廣泛應(yīng)用于無線通信、雷達、微波電路等領(lǐng)域。600F8R2AT250T可能適用于這些領(lǐng)域中的高頻濾波、耦合、旁路等電路。

六、注意事項

  • 以上信息基于命名規(guī)律和常見的電子工程/通信技術(shù)領(lǐng)域中的命名習慣進行推測,具體參數(shù)和特性可能因產(chǎn)品而異。

  • 在購買和使用前,請務(wù)必查閱官方提供的產(chǎn)品手冊和技術(shù)規(guī)格表,以獲取準確的信息。

  • 請確保產(chǎn)品符合您的應(yīng)用需求和安全標準。



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一、基本信息

  • 型號:600F8R2AT250T

  • 類型:射頻貼片電容(基于命名規(guī)律和常見的電子工程/通信技術(shù)領(lǐng)域中的命名習慣推測)

二、技術(shù)參數(shù)

  1. 電容值:由于型號中包含“8R2”,我們可以推測其電容值大致為8.2μF(具體值可能會有些許差異,具體請參考產(chǎn)品規(guī)格書)。

  2. 電壓額定值:250V(直接來源于型號中的“250V”)。

  3. 其他規(guī)格:由于型號中還包含“F”和“T”等字符,這些字符可能表示特定的封裝類型、溫度范圍或其他特性,但具體意義需參考產(chǎn)品規(guī)格書。

三、封裝/外殼

  • 由于型號中并未直接給出封裝/外殼的具體信息,但可以推測該電容可能采用射頻貼片電容常見的封裝形式,如矩形或圓柱形等。具體封裝尺寸和引腳排列方式請參考產(chǎn)品規(guī)格書。

四、其他特性

  • 高頻率性能:射頻貼片電容通常用于高頻電路,因此600F8R2AT250T可能具有優(yōu)異的高頻性能。

  • 穩(wěn)定性:射頻電容在溫度變化、電壓波動等條件下應(yīng)具有良好的穩(wěn)定性。

  • RoHS認證:產(chǎn)品可能符合RoHS(限制使用某些有害物質(zhì))標準,意味著在生產(chǎn)過程中限制或避免使用某些對環(huán)境有害的物質(zhì)。

五、應(yīng)用

  • 射頻貼片電容廣泛應(yīng)用于無線通信、雷達、微波電路等領(lǐng)域。600F8R2AT250T可能適用于這些領(lǐng)域中的高頻濾波、耦合、旁路等電路。

六、注意事項

  • 以上信息基于命名規(guī)律和常見的電子工程/通信技術(shù)領(lǐng)域中的命名習慣進行推測,具體參數(shù)和特性可能因產(chǎn)品而異。

  • 在購買和使用前,請務(wù)必查閱官方提供的產(chǎn)品手冊和技術(shù)規(guī)格表,以獲取準確的信息。

  • 請確保產(chǎn)品符合您的應(yīng)用需求和安全標準。



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