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600S3R9BT250T

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600S3R9BT250T基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 250V 3.9pF Tol 0.1pF
ATC700B560GMS500X情

600S3R9BT250T產(chǎn)品是一款由KYOCERA AVX生產(chǎn)的基于硅的射頻電容器/薄膜電容器。以下是對該產(chǎn)品的詳細簡介:

一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產(chǎn)品編號:600S3R9BT250T

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

  • 電容值:3.9pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標。

  • 電壓額定值:250VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為250伏特。

  • 容差:0.1pF,表示電容器的實際電容值與標稱電容值之間的允許偏差范圍。

  • 封裝/尺寸:0603(1608 metric),這是一種常見的SMD封裝尺寸,具體尺寸為長度1.6mm x 寬度0.81mm,高度(最大值)為0.89mm。

  • 溫度系數(shù):可能包括0 PPM/°C和30 PPM/°C兩種選項,具體取決于產(chǎn)品批次或應用需求,這表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

  • 工作溫度范圍:-55°C至+125°C,表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

三、產(chǎn)品特性

  • 多層陶瓷結構:可能采用多層陶瓷技術,具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

  • 低ESR/ESL:設計用于射頻/微波頻率應用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。

  • 廣泛的應用領域:適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學應用,如無線通信設備、光纖通信設備、醫(yī)療電子設備、半導體制造設備、設備以及航空航天等領域。


600S3R9BT250T
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600S3R9BT250T產(chǎn)品是一款由KYOCERA AVX生產(chǎn)的基于硅的射頻電容器/薄膜電容器。以下是對該產(chǎn)品的詳細簡介:

一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產(chǎn)品編號:600S3R9BT250T

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

  • 電容值:3.9pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標。

  • 電壓額定值:250VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為250伏特。

  • 容差:0.1pF,表示電容器的實際電容值與標稱電容值之間的允許偏差范圍。

  • 封裝/尺寸:0603(1608 metric),這是一種常見的SMD封裝尺寸,具體尺寸為長度1.6mm x 寬度0.81mm,高度(最大值)為0.89mm。

  • 溫度系數(shù):可能包括0 PPM/°C和30 PPM/°C兩種選項,具體取決于產(chǎn)品批次或應用需求,這表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

  • 工作溫度范圍:-55°C至+125°C,表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

三、產(chǎn)品特性

  • 多層陶瓷結構:可能采用多層陶瓷技術,具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

  • 低ESR/ESL:設計用于射頻/微波頻率應用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。

  • 廣泛的應用領域:適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學應用,如無線通信設備、光纖通信設備、醫(yī)療電子設備、半導體制造設備、設備以及航空航天等領域。


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