一、基本信息

• 制造商：KYOCERA AVX

• 產(chǎn)品編號：600L8R2BTN200T

• 類型：基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

• 電容值：8.2pF，這是電容器存儲電荷能力的重要指標(biāo)。

• 電壓額定值：200VDC，表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為200伏特。

• 容差：0.1pF，表示電容器的實際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍。

• 封裝/尺寸：0402（1005 metric），這是一種常見的SMD封裝尺寸，具體尺寸為長度1.02mm x 寬度0.51mm，高度（最大值）為0.6mm。

• 溫度系數(shù)：可能包括0 PPM/°C和30 PPM/°C兩種選項，具體取決于產(chǎn)品批次或應(yīng)用需求，這表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

• 工作溫度范圍：-55°C至+125°C，表明該電容器能在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

三、產(chǎn)品特性

• 低ESR/ESL：設(shè)計用于射頻/微波頻率應(yīng)用，具有低等效串聯(lián)電阻（ESR）和低等效串聯(lián)電感（ESL），有助于提升高頻性能。

• 高Q值：高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小，適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。

• 穩(wěn)定性：基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長期穩(wěn)定性。

• 廣泛應(yīng)用：適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用，如無線通信、光纖通信、醫(yī)療電子、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。