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制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號(hào):600S0R3AT250TV(請(qǐng)注意,“TV”后綴可能是一個(gè)誤寫或特定應(yīng)用的標(biāo)識(shí))
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:3pF,表示電容器存儲(chǔ)電荷的能力。
電壓額定值:250VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓。
容差:假設(shè)為0.05pF(具體容差需參考產(chǎn)品規(guī)格書)。
溫度系數(shù):可能具有低溫度系數(shù),如0 PPM/°C或特定范圍內(nèi)的PPM/°C,但具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
封裝/尺寸:假設(shè)為與0603(1608 metric)相似的SMD封裝尺寸,具體尺寸需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
工作溫度范圍:假設(shè)為-55°C至+125°C,但具體范圍需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
多層陶瓷結(jié)構(gòu):可能采用多層陶瓷技術(shù),具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。
穩(wěn)定性:基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
假設(shè)該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備以及航空航天等領(lǐng)域。
典型電路應(yīng)用可能包括旁路、耦合、調(diào)諧、反饋、阻抗匹配和直流阻隔等,在射頻功率放大器、混頻器、振蕩器、低噪聲放大器、濾波網(wǎng)絡(luò)等電路中發(fā)揮重要作用。
制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號(hào):600S0R3AT250TV(請(qǐng)注意,“TV”后綴可能是一個(gè)誤寫或特定應(yīng)用的標(biāo)識(shí))
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:3pF,表示電容器存儲(chǔ)電荷的能力。
電壓額定值:250VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓。
容差:假設(shè)為0.05pF(具體容差需參考產(chǎn)品規(guī)格書)。
溫度系數(shù):可能具有低溫度系數(shù),如0 PPM/°C或特定范圍內(nèi)的PPM/°C,但具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
封裝/尺寸:假設(shè)為與0603(1608 metric)相似的SMD封裝尺寸,具體尺寸需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
工作溫度范圍:假設(shè)為-55°C至+125°C,但具體范圍需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
多層陶瓷結(jié)構(gòu):可能采用多層陶瓷技術(shù),具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。
穩(wěn)定性:基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
假設(shè)該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,如無線通信設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備以及航空航天等領(lǐng)域。
典型電路應(yīng)用可能包括旁路、耦合、調(diào)諧、反饋、阻抗匹配和直流阻隔等,在射頻功率放大器、混頻器、振蕩器、低噪聲放大器、濾波網(wǎng)絡(luò)等電路中發(fā)揮重要作用。