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100B271GT200XC100

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100B271GT200XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 200V 270pF Tol 2% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產品編號:100B271GT200XC100

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數

  • 電容值:271pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標。

  • 電壓額定值:200VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為200伏特。

  • 容差:雖然具體容差值在提供的參考信息中未明確給出,但根據KYOCERA AVX產品的常規(guī)特性,容差可能是±0.1pF、±0.25pF、±0.5pF或±1%等,具體取決于產品規(guī)格書。

  • 封裝/尺寸:封裝類型可能為“XC”,但具體尺寸(如長度、寬度和高度)需參考產品規(guī)格書或數據表。KYOCERA AVX的產品通常遵循行業(yè)標準封裝尺寸。

  • 溫度系數:可能具有低溫度系數,具體數值需參考產品規(guī)格書,但通常為某一特定范圍內的PPM/°C,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

  • 工作溫度范圍:可能包括-55°C至+125°C或類似的寬溫度范圍,表明該電容器能在較寬的溫度條件下穩(wěn)定工作。

三、產品特性

  • 多層陶瓷結構:可能采用多層陶瓷技術(MLCC),這種技術使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

  • 低ESR/ESL:設計用于射頻/微波頻率應用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質因數要求較高的場合。

  • 穩(wěn)定性:基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長期穩(wěn)定性。

四、應用領域

  • 100B271GT200XC100產品廣泛應用于射頻/微波頻率應用、無線通信設備、光纖通信設備、醫(yī)療電子設備、半導體制造設備等領域,以及其他對高頻性能和高穩(wěn)定性要求較高的場合。


100B271GT200XC100
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一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產品編號:100B271GT200XC100

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數

  • 電容值:271pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標。

  • 電壓額定值:200VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為200伏特。

  • 容差:雖然具體容差值在提供的參考信息中未明確給出,但根據KYOCERA AVX產品的常規(guī)特性,容差可能是±0.1pF、±0.25pF、±0.5pF或±1%等,具體取決于產品規(guī)格書。

  • 封裝/尺寸:封裝類型可能為“XC”,但具體尺寸(如長度、寬度和高度)需參考產品規(guī)格書或數據表。KYOCERA AVX的產品通常遵循行業(yè)標準封裝尺寸。

  • 溫度系數:可能具有低溫度系數,具體數值需參考產品規(guī)格書,但通常為某一特定范圍內的PPM/°C,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

  • 工作溫度范圍:可能包括-55°C至+125°C或類似的寬溫度范圍,表明該電容器能在較寬的溫度條件下穩(wěn)定工作。

三、產品特性

  • 多層陶瓷結構:可能采用多層陶瓷技術(MLCC),這種技術使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

  • 低ESR/ESL:設計用于射頻/微波頻率應用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質因數要求較高的場合。

  • 穩(wěn)定性:基于硅的射頻電容器通常具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長期穩(wěn)定性。

四、應用領域

  • 100B271GT200XC100產品廣泛應用于射頻/微波頻率應用、無線通信設備、光纖通信設備、醫(yī)療電子設備、半導體制造設備等領域,以及其他對高頻性能和高穩(wěn)定性要求較高的場合。


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