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制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號(hào):100B680JTN500XC100
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:680pF,這是電容器存儲(chǔ)電荷能力的重要指標(biāo)。
電壓額定值:500VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為500伏特。
容差:盡管具體容差值在直接提供的信息中未明確,但基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)特性,容差可能包括±0.5pF、±1%、±2%或±5%等選項(xiàng),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
封裝/尺寸:封裝類型可能是表面貼裝類型(如SMD),具體尺寸(如長(zhǎng)度、寬度和高度)需參考產(chǎn)品規(guī)格書或制造商提供的數(shù)據(jù)表。KYOCERA AVX的產(chǎn)品通常遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸,但“XC”后綴可能指示特定的封裝或尺寸代碼。
溫度系數(shù):可能具有低溫度系數(shù),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書,但通常為某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。
工作溫度范圍:基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)工作溫度范圍,該電容器可能能在-55°C至+125°C或類似的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
多層陶瓷結(jié)構(gòu):KYOCERA AVX的基于硅的射頻電容器通常采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),這種技術(shù)使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。
優(yōu)異的電氣性能:基于硅的射頻電容器通常具有出色的電氣性能,如低損耗、高穩(wěn)定性等,適用于高性能電子設(shè)備。
100B680JTN500XC100產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信設(shè)備、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備以及半導(dǎo)體制造設(shè)備等需要高性能射頻/微波電容器的場(chǎng)合。
制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號(hào):100B680JTN500XC100
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:680pF,這是電容器存儲(chǔ)電荷能力的重要指標(biāo)。
電壓額定值:500VDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為500伏特。
容差:盡管具體容差值在直接提供的信息中未明確,但基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)特性,容差可能包括±0.5pF、±1%、±2%或±5%等選項(xiàng),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
封裝/尺寸:封裝類型可能是表面貼裝類型(如SMD),具體尺寸(如長(zhǎng)度、寬度和高度)需參考產(chǎn)品規(guī)格書或制造商提供的數(shù)據(jù)表。KYOCERA AVX的產(chǎn)品通常遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸,但“XC”后綴可能指示特定的封裝或尺寸代碼。
溫度系數(shù):可能具有低溫度系數(shù),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書,但通常為某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。
工作溫度范圍:基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)工作溫度范圍,該電容器可能能在-55°C至+125°C或類似的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。
多層陶瓷結(jié)構(gòu):KYOCERA AVX的基于硅的射頻電容器通常采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),這種技術(shù)使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。
優(yōu)異的電氣性能:基于硅的射頻電容器通常具有出色的電氣性能,如低損耗、高穩(wěn)定性等,適用于高性能電子設(shè)備。
100B680JTN500XC100產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信設(shè)備、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備以及半導(dǎo)體制造設(shè)備等需要高性能射頻/微波電容器的場(chǎng)合。