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100E120GMN3600XJ16

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100E120GMN3600XJ16基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
ATC700B560GMS500X情

一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產(chǎn)品編號:100E120GMN3600XJ16

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

  • 電容值:120pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標(biāo)。

  • 電壓額定值:3.6kVDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為3600伏特。

  • 封裝:Tray封裝,這是電子元器件的一種常見封裝形式,適用于多種應(yīng)用場景。

  • 容差:雖然具體容差值在直接提供的信息中未明確,但基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)特性,容差可能包括±0.5pF、±1%、±2%或±5%等選項,具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。

  • 溫度系數(shù):可能具有較低的溫度系數(shù),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書,但通常為某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

三、產(chǎn)品特性

  • 多層陶瓷結(jié)構(gòu):采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),這種技術(shù)使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

  • 低ESR/ESL:設(shè)計用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。

  • 高電壓額定值:3.6kVDC的高電壓額定值,使其適用于高電壓應(yīng)用場合。

  • 廣泛的應(yīng)用范圍:適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用,如無線通信設(shè)備、雷達系統(tǒng)、光纖通信等。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

100E120GMN3600XJ16產(chǎn)品因其優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于無線通信、雷達、衛(wèi)星通信、光纖通信、醫(yī)療電子設(shè)備及半導(dǎo)體制造設(shè)備等領(lǐng)域,特別是在需要高性能射頻/微波電容器的場合。


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一、基本信息

  • 制造商:KYOCERA AVX

  • 產(chǎn)品編號:100E120GMN3600XJ16

  • 類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器

二、主要參數(shù)

  • 電容值:120pF,這是電容器存儲電荷能力的重要指標(biāo)。

  • 電壓額定值:3.6kVDC,表示該電容器在直流條件下的最大工作電壓為3600伏特。

  • 封裝:Tray封裝,這是電子元器件的一種常見封裝形式,適用于多種應(yīng)用場景。

  • 容差:雖然具體容差值在直接提供的信息中未明確,但基于KYOCERA AVX產(chǎn)品的常規(guī)特性,容差可能包括±0.5pF、±1%、±2%或±5%等選項,具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。

  • 溫度系數(shù):可能具有較低的溫度系數(shù),具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書,但通常為某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C,表示電容器電容值隨溫度變化的穩(wěn)定性。

三、產(chǎn)品特性

  • 多層陶瓷結(jié)構(gòu):采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),這種技術(shù)使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

  • 低ESR/ESL:設(shè)計用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。

  • 高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對品質(zhì)因數(shù)要求較高的場合。

  • 高電壓額定值:3.6kVDC的高電壓額定值,使其適用于高電壓應(yīng)用場合。

  • 廣泛的應(yīng)用范圍:適用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用,如無線通信設(shè)備、雷達系統(tǒng)、光纖通信等。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

100E120GMN3600XJ16產(chǎn)品因其優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于無線通信、雷達、衛(wèi)星通信、光纖通信、醫(yī)療電子設(shè)備及半導(dǎo)體制造設(shè)備等領(lǐng)域,特別是在需要高性能射頻/微波電容器的場合。


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