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制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號(hào):100E331KMS3600XJ16(請(qǐng)注意,此編號(hào)中的“KMS”可能是一個(gè)筆誤或特定版本標(biāo)記,因?yàn)镵YOCERA AVX的產(chǎn)品編號(hào)中更常見的是如“GAR”、“JMN”等后綴,這不影響以下概述性介紹的適用性。)
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:330pF(具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
電壓額定值:3.6kVDC(KYOCERA AVX的100E系列產(chǎn)品通常具有高電壓額定值)
封裝:Tray封裝(或其他適用的封裝形式,具體需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
容差:可能包括±0.5pF、±1%、±2%或±5%等選項(xiàng)(具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
溫度系數(shù):具有較低的溫度系數(shù),通常為某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C(具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
多層陶瓷結(jié)構(gòu):采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。
高電壓額定值:適用于高電壓應(yīng)用場(chǎng)合,滿足特定領(lǐng)域的需求。
基于上述推測(cè)的產(chǎn)品特性,100E331KMS3600XJ16產(chǎn)品可能廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、光纖通信、醫(yī)療電子設(shè)備及半導(dǎo)體制造設(shè)備等領(lǐng)域,特別是在需要高性能射頻/微波電容器的場(chǎng)合。
制造商:KYOCERA AVX
產(chǎn)品編號(hào):100E331KMS3600XJ16(請(qǐng)注意,此編號(hào)中的“KMS”可能是一個(gè)筆誤或特定版本標(biāo)記,因?yàn)镵YOCERA AVX的產(chǎn)品編號(hào)中更常見的是如“GAR”、“JMN”等后綴,這不影響以下概述性介紹的適用性。)
類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器
電容值:330pF(具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
電壓額定值:3.6kVDC(KYOCERA AVX的100E系列產(chǎn)品通常具有高電壓額定值)
封裝:Tray封裝(或其他適用的封裝形式,具體需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
容差:可能包括±0.5pF、±1%、±2%或±5%等選項(xiàng)(具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
溫度系數(shù):具有較低的溫度系數(shù),通常為某一特定范圍內(nèi)的PPM/°C(具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書)
多層陶瓷結(jié)構(gòu):采用多層陶瓷技術(shù)(MLCC),使得電容器具有體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
低ESR/ESL:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率應(yīng)用,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),有助于提升高頻性能。
高Q值:高Q值意味著電容器在諧振頻率下的能量損耗較小,適用于對(duì)品質(zhì)因數(shù)要求較高的場(chǎng)合。
高電壓額定值:適用于高電壓應(yīng)用場(chǎng)合,滿足特定領(lǐng)域的需求。
基于上述推測(cè)的產(chǎn)品特性,100E331KMS3600XJ16產(chǎn)品可能廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、光纖通信、醫(yī)療電子設(shè)備及半導(dǎo)體制造設(shè)備等領(lǐng)域,特別是在需要高性能射頻/微波電容器的場(chǎng)合。