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100B0R5CT500XC100

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100B0R5CT500XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 500V 0.5pF Tol 0.25pF Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

100B0R5CT500XC100產(chǎn)品的簡(jiǎn)介,由于直接針對(duì)該具體型號(hào)的信息較為有限,我將基于多層陶瓷電容器(MLCC)的一般特性以及參考文章中類似的型號(hào)信息來構(gòu)建這份簡(jiǎn)介。請(qǐng)注意,以下信息可能需要根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品規(guī)格書進(jìn)行調(diào)整。

100B0R5CT500XC100產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品名稱:100B0R5CT500XC100
產(chǎn)品類型:多層陶瓷電容器(MLCC)
封裝形式:SMD/SMT(表面貼裝器件/表面貼裝技術(shù))

主要特性

  1. 額定電壓:500V

    • 這表明該電容器可以在不超過500伏特的直流電壓下正常工作。

  2. 電容值:0.5pF

    • 電容值是衡量電容器存儲(chǔ)電荷能力的物理量,0.5pF表示其電容值非常小,適用于需要高精度和低損耗的電路。

  3. 容差:根據(jù)類似型號(hào)的信息推測(cè),該電容器的容差可能較小,但具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。容差是指電容器實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的偏差范圍。

  4. 溫度系數(shù):雖然具體數(shù)值未給出,但多層陶瓷電容器通常具有較低的溫度系數(shù),這意味著其電容值隨溫度變化的程度較小,有利于電路的穩(wěn)定性。

  5. 封裝尺寸:根據(jù)型號(hào)中的“XC100”和類似產(chǎn)品的信息,可以推測(cè)該電容器可能采用了特定的封裝尺寸,但具體尺寸需參考產(chǎn)品規(guī)格書或制造商提供的數(shù)據(jù)。

  6. 應(yīng)用領(lǐng)域:多層陶瓷電容器廣泛應(yīng)用于無線通訊設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備、航空航天和衛(wèi)星通訊設(shè)備等。100B0R5CT500XC100作為其中的一員,也可能適用于這些領(lǐng)域中對(duì)電容器性能要求較高的場(chǎng)合。


100B0R5CT500XC100
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100B0R5CT500XC100產(chǎn)品的簡(jiǎn)介,由于直接針對(duì)該具體型號(hào)的信息較為有限,我將基于多層陶瓷電容器(MLCC)的一般特性以及參考文章中類似的型號(hào)信息來構(gòu)建這份簡(jiǎn)介。請(qǐng)注意,以下信息可能需要根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品規(guī)格書進(jìn)行調(diào)整。

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產(chǎn)品名稱:100B0R5CT500XC100
產(chǎn)品類型:多層陶瓷電容器(MLCC)
封裝形式:SMD/SMT(表面貼裝器件/表面貼裝技術(shù))

主要特性

  1. 額定電壓:500V

    • 這表明該電容器可以在不超過500伏特的直流電壓下正常工作。

  2. 電容值:0.5pF

    • 電容值是衡量電容器存儲(chǔ)電荷能力的物理量,0.5pF表示其電容值非常小,適用于需要高精度和低損耗的電路。

  3. 容差:根據(jù)類似型號(hào)的信息推測(cè),該電容器的容差可能較小,但具體數(shù)值需參考產(chǎn)品規(guī)格書。容差是指電容器實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的偏差范圍。

  4. 溫度系數(shù):雖然具體數(shù)值未給出,但多層陶瓷電容器通常具有較低的溫度系數(shù),這意味著其電容值隨溫度變化的程度較小,有利于電路的穩(wěn)定性。

  5. 封裝尺寸:根據(jù)型號(hào)中的“XC100”和類似產(chǎn)品的信息,可以推測(cè)該電容器可能采用了特定的封裝尺寸,但具體尺寸需參考產(chǎn)品規(guī)格書或制造商提供的數(shù)據(jù)。

  6. 應(yīng)用領(lǐng)域:多層陶瓷電容器廣泛應(yīng)用于無線通訊設(shè)備、光纖通信設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、半導(dǎo)體制造設(shè)備、設(shè)備、航空航天和衛(wèi)星通訊設(shè)備等。100B0R5CT500XC100作為其中的一員,也可能適用于這些領(lǐng)域中對(duì)電容器性能要求較高的場(chǎng)合。


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